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키옥시아-웨스턴디지털, 3D 플래시 메모리 신기술 발표

2023.04.03 편집부  |  CIO KR
키옥시아와 웨스턴디지털이 최신 8세대 ‘BiCS 플래시(BiCS FLASHTM)’ 3D 플래시 메모리 기술에 대한 세부 정보를 발표했다. 고도화된 미세화 및 웨이퍼 본딩 기술이 적용된 새로운 3D 플래시 메모리는 뛰어난 용량, 성능, 신뢰성을 절감된 비용으로 제공하며 현재 다양한 분야에서 폭증하는 데이터에 대응하기 위한 니즈에 특화됐다고 양사는 설명했다.
 

설명에 따르면 수직 및 측면 미세화의 균형은 작은 크기의 다이(die)와 적은 수의 단으로도 한층 높은 용량을 최적화된 비용에 제공할 수 있게끔 지원한다. 또한 양사는 CMOS 웨이퍼와 셀 어레이 웨이퍼를 최적화된 환경에서 개별적으로 제조한 후 결합해 향상된 비트 밀도와 빠른 낸드 입출력(I/O) 속도를 제공하는 CBA(CMOS Direct Bonded to Array) 기술을 개발했다.

218단 3D 플래시는 4개의 플레인(plane)으로 이뤄진 1Tb 트리플 레벨 셀(TLC)과 쿼드 레벨 셀(QLC)을 활용하며 비트 밀도를 50% 이상 향상시키는 혁신적인 측면 축소 기술을 특징으로 한다. 이전 세대 대비 60% 향상된 3.2Gbps 이상 고속 낸드 입출력과 20% 향상된 쓰기 성능 및 읽기 지연 시간(read latency)이 결합돼 개선된 전반적인 성능과 사용 편의성을 제공한다.
 

웨스턴디지털 알페르 일크바하르 기술 및 전략 부문 선임 부사장은 “새로운 3D 플래시 기술은 키옥시아와의 강력한 파트너십의 효과는 물론, 양사의 선도적인 혁신을 나타낸다고 생각한다”며, “양사는 하나의 공통된 R&D 로드맵과 지속적인 R&D 투자를 통해 이번 기술을 예정보다 일찍 제품화하고 높은 성능을 지원하는 비용 효율적인 솔루션을 제공할 수 있게 됐다”고 말했다.

키옥시아의 마사키 모모도미 CTO는 “양사는 엔지니어링 파트너십을 통해 높은 비트 밀도를 제공하는 8세대 ‘BiCS 플래시(BiCS FLASHTM)’를 선보일 수 있게 됐다”며, “CBA 기술과 미세화 혁신을 적용하면서 3D 플래시 메모리 기술 포트폴리오를 스마트폰, IoT 장치 및 데이터센터를 비롯한 다양한 데이터 중심적인 애플리케이션에 사용할 수 있도록 발전시킬 수 있었다”라고 밝혔다. ciokr@idg.co.kr
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