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인텔 CEO 팻 겔싱어 "무어의 법칙 더 빠르게 돌아왔다"

2021.10.29 Mark Hachman   |  PCWorld
인텔 CEO 팻 겔싱어가 수요일, 수 년 전 둔화된 무어의 법칙 발전 속도를 다시 높여 향후 10년 동안 무어의 법칙을 유지하거나 대체해 제조 속도를 높이겠다고 공언했다. 겔싱어는 또한 제조 공정 혁신의 진전을 통해 인텔이 경쟁사가 따를 수 없는 고유한 발전을 이룰 것이라고 밝혔다. 

실리콘 제조 공정은 여러 세대 동안 인텔의 성공 기반이었다. 그러나 근본적인 한계가 있다는 것은 공공연한 사실이 되었다. 트랜지스터 밀도가 18개월~24개월마다 2배 속도로 증가한다고 주장한 무어의 법칙은 칩이 얼마나 빨리 발전하는지를 놀라울 정도로 정확히 예측한 법칙이다. 트랜지스터 밀도는 프로세서가 동작하는 속도와 소비 전력을 결정하는 요인이기도 하다.
 
인텔 이노베이션 컨퍼런스에서 CEO 팻 겔싱어 ⓒ IDG

2015년 인텔은 14나노 공정 로드맵을 발표하고 카비 레이크를 추가했다. 당시 CEO인 크르자니크는 칩 제조 공정의 복잡성 때문에 무어의 법칙에 따른 개발 속도가 둔화되었다고 경고했다. 그러나 화요일 겔싱어는 인텔 이노베이션 컨퍼런스에서 IDM 2.0 제조 전략에서 다시 무어의 법칙 이상의 속도로 제조 공정 진화 속도를 높이겠다고 발표했다.

겔싱어는 무어의 법칙이 여전히 유효하다고 강조하면서 향후 10년간 무어의 법칙대로의 속도를 유지하거나 그 이상의 속도를 구현하겠다고 말했다.

겔싱어는 ‘슈퍼 무어의 법칙’까지는 아니더라도 무어의 법칙 속도를 지속하는 구간에 들어왔다고 덧붙였다. 또 “칩 속도가 ‘2년마다 2배’보다 더 빠른 상승 곡선을 그릴 것이다. 주기율표가 소진될 때까지 쉬지 않고 ‘실리콘 마법’으로 공정을 혁신하기 위해 부단히 노력할 것”이라며 무어의 법칙은 아직도 살아있다고 강조했다.

제조업체로서의 인텔의 부활은 이전 발표에서처럼 여러 가지 다른 측면을 기반으로 한다. 예를 들면, 인텔은 웨이퍼에서 실리콘 트랜지스터를 조각할 때 필요한 가시광선을 대체하는 리소그래피 기술인 익스트림 울트라바이올렛(Extreme Ultraviolet, EUV)으로 전환하고 있다. EUV 장비는 다른 반도체 제조업체에서도 사용할 수 있지만, 겔싱어는 2세대 EUV 장비인 하이-NA EUV 기술의 장점을 취할 것이라고 말했다. 두 번째로, 지난 7월 발표처럼 리본FET(RibbonFET)으로 알려진 새로운 트랜지스터 모델과 후면 전원 공급 시스템으로 이동을 꾀하고 있다. 마지막으로 무어의 법칙을 처음 고안한 고든 무어도 패키징의 중요성을 강조했다고 언급했다. 인텔은 칩 다이를 수직 방향으로 확장하는 포베로스 옴니 모델을 개발했다.

겔싱어는 인텔의 미래를 낙관했다. 다른 경쟁사가 끼어들 여지없이 선두를 확보해 나가겠다는 의지다. 2030년까지 4가지 영역에서 더욱 우위를 확보해 나가겠다고도 밝혔다.

인텔은 수요일 12세대 앨더 레이크 코어 칩을 발표했다. AMD가 3분기 실적을 발표하면서 인텔보다 더 나은 4분기 매출을 예측한 바로 다음날이다. 인텔이 독점적인 자체 팹에서 주로 칩을 생산하는 반면, AMD는 서드파티 TSMC를 칩 파운드리로 확보하고 있다. eidtor@itworld.co.kr 
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