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인피니언, 650V 역 전도 IGBT 제품군 발표··· 스위칭 손실 30% 낮춰

2014.05.19 편집부  |  CIO KR
인피니언 테크놀로지스는 공진 애플리케이션을 위한 자사의 차세대 역 전도(Reverse Conducting, RC) IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) 포트폴리오에 모노리딕으로 RC 다이오드를 통합한 650V 제품을 추가했다.

이 새로운 디스크리트 RC-H5 650V 전력 반도체는 멀티-홉 인덕션 스토브와 인버터형 전자레인지 뿐만 아니라 모든 부분 하드 스위칭 하프 브리지 토폴로지에 이용할 수 있다.

디스크리트 650V 전력 반도체는 이전 세대 제품과 비교해서 에너지 효율을 높였다. 스위칭 손실을 30% 낮췄으며, 디자이너들이 최대 40kHz의 스위칭 주파수를 이용해 설계할 수 있다. 대체로 이 새로운 디스크리트 전력 반도체는 우수한 에너지 효율을 달성하며 전체 시스템의 에너지 소모를 5% 줄일 수 있다.

RC-H5 650V 제품을 기반으로 하는 시스템은 높아진 블로킹 전압 덕분에 그만큼 설계 마진이 늘어남으로써 신뢰성이 향상됐다. 또한 이 650V 제품은 소프트 또는 하드 스위칭을 제공할 수 있으므로 유연성을 제공하고 전반적으로 시스템으로 주입되는 스트레인(strain)을 낮춘다.

인피니언 테크놀로지스의 IGBT 전력 디스크리트 담당 마케팅 이사인 롤랜드 스틸은 “인덕션 쿠킹은 환경에 유익한 기술로 가정용 기기를 인덕션으로 전환시 에너지를 절감할 수 있다”며, “이 새로운 디스크리트 RC-H5 650V 제품을 추가함으로써 인피니언은 가정용 기기에 이용할 수 있는 제품을 더욱 확대했으며 고객들이 더 적은 자원을 소모하고 신뢰성이 높은 시스템을 개발할 수 있다”고 말했다.

RC-H5 제품은 20A, 40A, 50A 전류 정격으로 제공된다. 샘플은 2014년 6월부터 공급 예정이며 바로 양산을 시작할 계획이다. ciokr@idg.co.kr
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