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20nm

삼성전자, 20nm 공정 4Gb DDR3 디램 양산

삼성전자가 20nm 공정의 4Gbit DDR3 디램을 생산 개시했다고 밝혔다. 크기, 효율성 측면에서 획기적 진전이라는 설명있다. 제조 공정의 미세화는 더 큰 용량과 절전성, 낮은 생산단가로 연결된다. 삼성전자는 이번 DDR3 메모리로 인해...

삼성 반도체 20nm 공정 디램 DDR3

2014.03.13

삼성전자가 20nm 공정의 4Gbit DDR3 디램을 생산 개시했다고 밝혔다. 크기, 효율성 측면에서 획기적 진전이라는 설명있다. 제조 공정의 미세화는 더 큰 용량과 절전성, 낮은 생산단가로 연결된다. 삼성전자는 이번 DDR3 메모리로 인해...

2014.03.13

인텔과 마이크론, 2배 용량의 20nm 낸드 플래시 발표

손톱보다 작은 크기에 테라비트 즉 128GB를 저장할 수 있도록 하는 새로운 낸드 플래시 공정이 개발됐다고 인텔과 마이크론이 전했다. 인텔과 마이크론의 조인 벤처 기업인 IM 플래시 테크놀로지스(IMFT)는 지난 6일 세계 최초의 20nm 공정을...

인텔 마이크론 플래시 낸드 IMFT 20nm

2011.12.07

손톱보다 작은 크기에 테라비트 즉 128GB를 저장할 수 있도록 하는 새로운 낸드 플래시 공정이 개발됐다고 인텔과 마이크론이 전했다. 인텔과 마이크론의 조인 벤처 기업인 IM 플래시 테크놀로지스(IMFT)는 지난 6일 세계 최초의 20nm 공정을...

2011.12.07

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