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비즈니스|경제

“반도체 업체의 3D 로드맵 가속화”  램리서치, '고선택비 식각 장비' 제품군 발표

2022.02.10 편집부  |  CIO KR
램리서치가 웨이퍼 제조 기술과 새로운 케미스트리 솔루션을 적용해 GAA(Gate-All-Around) 트랜지스터 구조의 개발을 지원하는 고선택비 식각 장비 제품군(Selective etch products)을 2월 10일 발표했다. 

램리서치의 고선택비 식각 장비 포트폴리오는 ▲아르고스(Argos) ▲프리보스(Prevos) ▲셀리스(Selis)로 구성되며, 첨단 로직 및 메모리 반도체 개발을 위한 설계 및 공정에 강력한 이점을 제공한다고 업체 측은 설명했다.
 

반도체 성능 및 효율성 향상을 위해 소자의 집적도를 높일 필요성이 더욱 높아지고 이에 맞춰 반도체 제조업체는 현재 3D 구조의 트랜지스터를 개발하고 있다. 이는 중요 막질을 변형하거나 손상시키지 않기 위해 초고도 선택비를 통한 정밀 식각과 등방성 식각을 요구하는 매우 복잡한 공정이다.

램리서치의 고선택비 식각 솔루션은 첨단 로직 구조인 나노시트 또는 나노와이어 형성을 지원하는 데 필요한 초고도 선택적 식각과 막질을 손상시키지 않는 기술을 제공한다. 반도체 제조 공정에서 집적도의 한계에 도달할 경우 평면 구조에서 3D 구조로의 혁신적 도약을 이룰 수 있도록 지원하는 핵심 기술이다. 램리서치의 고선택비 식각 기술은 이미 삼성전자와 같은 기업의 첨단 로직 웨이퍼 개발 프로세스의 거의 12가지 주요 단계에서 사용되고 있다.

삼성 반도체연구소의 배근희 마스터는 “디바이스의 직접도와 복잡성이 크게 증가함에 따라, 선택적 식각 기술은 최첨단 로직 디바이스 기술을 제조하는 데 매우 중요한 요소”라며, “삼성전자의 기술력에 대한 글로벌 수요가 급증하면서, 생산량 증대와 GAA 소자 및 그 이상의 로직 디바이스 로드맵 가속화를 위해서 선택적 식각의 광범위한 혁신과 역량이 필요하다”라고 말했다. 

MARS(Metastable Activated Radical Source) 기술을 탑재한 아르고스는 웨이퍼 표면 처리 기술과 오염 제거 기술을 제공하여 최적화된 반도체 성능을 구현할 수 있다. 

프리보스는 빠른 온도 제어와 함께 새로운 식각 가스, 혁신적인 기화 기술은 산화막과 금속막을 원자층(atomic layer) 단위로 식각할 수 있는 초고도 선택비 식각을 가능하게 한다. 프리보스는 램리서치가 독점 기술로 개발한 새로운 식각 가스를 활용하며, 반도체 제조업체의 생산 요구를 지원하기 위해 식각 가스를 추가할 수 있다. 

셀리스는 고유의 라디칼과 고온 식각 기능을 채택해 웨이퍼 표면 구조를 손상시키지 않고 상하 균일한 식각 기술을 제공해 초고도 선택적 식각을 할 수 있다. ciokr@idg.co.kr
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