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키옥시아-웨스턴디지털, 6세대 3D 플래시 메모리 기술 발표

2021.02.24 편집부  |  CIO KR
키옥시아와 웨스턴디지털이 6세대 162단 3D 플래시 메모리 기술을 개발했다고 발표했다. 

이번에 발표된 6세대 3D 플래시 메모리는 기존 8스태거(eight-stagger) 구조의 메모리 홀 어레이를 능가하는 고도화된 아키텍처와 5세대 대비 10% 증가한 측면 셀 어레이 밀도를 특징으로 한다고 업체 측은 설명했다. 이러한 측면 미세화의 발전은 162단 수직 적층 메모리와 결합해, 112단 적층 기술 대비 40% 감소된 다이(die) 크기와 이를 통한 비용 최적화를 지원한다.

회사에 따르면 키옥시아와 웨스턴디지털은 6세대 3D 플래시 메모리에 ‘서킷 언더 어레이(Circuit Under Array)’ CMOS 배치와 ‘4플레인(four-plane)’ 방식을 함께 적용해 이전 세대 대비 2.4배가량 향상된 프로그램 성능과 10%의 읽기 지연 시간(read latency) 개선을 달성했다. 입출력(I/O) 성능 또한 66% 향상돼, 한층 빠른 전송 속도에 대한 수요가 끊임없이 증가하고 있는 상황에서 차세대 인터페이스를 지원할 수 있다.

6세대 3D 플래시 메모리 기술은 비트당 비용 절감을 지원할 뿐 아니라, 웨이퍼당 비트 생산 또한 이전 세대 대비 70% 증가시킨다. 키옥시아와 웨스턴디지털은 이처럼 고객의 니즈와 다양한 용도를 충족할 수 있도록 지속적인 미세화와 혁신을 이어가고 있다.

키옥시아의 마사키 모모도미 CTO는 “키옥시아와 웨스턴디지털은 20년간 이어온 강력한 파트너십을 바탕으로 차별화된 제조 및 R&D 역량을 갖추고 있다”라며, “양사는 개인용 전자제품과 데이터센터는 물론, 현재 부상하고 있는 5G 네트워크, 인공지능, 자율 시스템 등의 폭넓은 데이터 중심 애플리케이션에 걸쳐 이러한 가치를 제공하고 있다”라고 말했다.

웨스턴디지털 기술 및 전략 부문 사장 시바 시바람 박사는 “이번 6세대 기술과 함께, 키옥시아와 웨스턴디지털은 보다 작은 크기의 다이와 적은 수의 단으로도 한층 높은 용량을 달성할 수 있는 수직 및 측면 미세화 혁신을 선보인다”라며, “궁극적으로는 이를 통해 고객이 필요로 하는 성능과 신뢰성, 비용을 제공할 것”이라고 밝혔다. ciokr@idg.co.kr
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