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DRAM

SSD-HDD 가격차 '2015년 6배, 2016년 4배, 2017년 3배'

소비자용 주류 SSD 가격은 지난 3년 동안 급격하게 하락한 반면, HDD 가격은 소폭 하락하는 데 그쳤다. 이에 따라 2017년에는 HDD 가격이 기가바이트당 6센트, 2.5인치 SSD가 17센트로 둘간의 가격 격차가 11센트(기가바이트당)에 불과할 것으로 예상된다. 출처 : 삼성. 삼성의 소비자용 850 EVO SSD. 32단 낸드 플래시 탑재. 셀 밀도는 낮추고, 내구도와 성능은 향상시킨 제품. SSD 가격 폭락은 노트북 제조사들의 SSD 채택률에도 영향을 끼칠 것으로 보인다. 시장조사업체 트렌드포스의 DRAM 및 낸드 플래시 사업부인 DRAM익스체인지의 조사에 따르면, 노트북 제조사들의 올해 SSD 채택률은 24~25%에 그칠 것으로 예상된다. DRAM익스체인지의 시니어 매니저인 앨런 첸은 내년도 소비자용 노트북 SSD 채택률의 경우 31%까지 증가할 것이며, 2017년에는 41%에 이를 것이라고 말했다. 좁혀지는 가격 격차 SSD 가격 하락률은 최근 4분기 연속 10%를 기록했다. 그러나 올해 SSD 채택률은 예상치보다 낮을 것으로 관측된다. 첸은 "유명 PC 제조업체와 유통업체는 예상보다 저조한 노트북 판매량을 감안해 SSD 구입을 보류하고 있다"고 말했다. 그는 "256GB SSD와 주류 HDD의 가격 격차가 좁혀짐에 따라 (2016~2017년) 노트북 SSD 채택률이 대폭 상승할 전망"이라고 덧붙였다. 제공 : DRAM익스체인지. SSD와 HDD의 기가바이트당 가격 SSD 가격은 3년 동안 급격하게 하락한 반면 HDD 가격은 소폭 하락했다. 기가바이트당 HDD 가격은 2012년 9센트에서 2015년 6센트로, 즉 1년에 1센트씩 하락하는 데 그쳤다. 2016년과 2017년에는 HDD 가격이 6센트 선을 유지할 것으로 예상된다. 즉 1TB HDD를 오프라인 매장에서는 60달러 선으로, 온라인 사이트에서는 45달러 미만으로 구입할 수 있다. 반면...

삼성 3D TLC SSD 트렌드포스 MLC DRAM 메모리 칩 SK하이닉스 시장 조사 도시바 HDD 낸드 플래시 샌디스크 마이크론 SSD 노트북 인텔 스토리지 DRAM익스체인지

2015.12.02

소비자용 주류 SSD 가격은 지난 3년 동안 급격하게 하락한 반면, HDD 가격은 소폭 하락하는 데 그쳤다. 이에 따라 2017년에는 HDD 가격이 기가바이트당 6센트, 2.5인치 SSD가 17센트로 둘간의 가격 격차가 11센트(기가바이트당)에 불과할 것으로 예상된다. 출처 : 삼성. 삼성의 소비자용 850 EVO SSD. 32단 낸드 플래시 탑재. 셀 밀도는 낮추고, 내구도와 성능은 향상시킨 제품. SSD 가격 폭락은 노트북 제조사들의 SSD 채택률에도 영향을 끼칠 것으로 보인다. 시장조사업체 트렌드포스의 DRAM 및 낸드 플래시 사업부인 DRAM익스체인지의 조사에 따르면, 노트북 제조사들의 올해 SSD 채택률은 24~25%에 그칠 것으로 예상된다. DRAM익스체인지의 시니어 매니저인 앨런 첸은 내년도 소비자용 노트북 SSD 채택률의 경우 31%까지 증가할 것이며, 2017년에는 41%에 이를 것이라고 말했다. 좁혀지는 가격 격차 SSD 가격 하락률은 최근 4분기 연속 10%를 기록했다. 그러나 올해 SSD 채택률은 예상치보다 낮을 것으로 관측된다. 첸은 "유명 PC 제조업체와 유통업체는 예상보다 저조한 노트북 판매량을 감안해 SSD 구입을 보류하고 있다"고 말했다. 그는 "256GB SSD와 주류 HDD의 가격 격차가 좁혀짐에 따라 (2016~2017년) 노트북 SSD 채택률이 대폭 상승할 전망"이라고 덧붙였다. 제공 : DRAM익스체인지. SSD와 HDD의 기가바이트당 가격 SSD 가격은 3년 동안 급격하게 하락한 반면 HDD 가격은 소폭 하락했다. 기가바이트당 HDD 가격은 2012년 9센트에서 2015년 6센트로, 즉 1년에 1센트씩 하락하는 데 그쳤다. 2016년과 2017년에는 HDD 가격이 6센트 선을 유지할 것으로 예상된다. 즉 1TB HDD를 오프라인 매장에서는 60달러 선으로, 온라인 사이트에서는 45달러 미만으로 구입할 수 있다. 반면...

2015.12.02

"낸드보다 1,000배 빠르다"··· 인텔∙마이크론, 3D X포인트 메모리 타입 발표

28일 인텔과 마이크론이 현재의 낸드(NAND) 타입 메모리보다 1,000배 더 빠르고 더 내구성이 좋은 3D 크로스포인트(XPoint)를 발표했다. 인텔과 마이크론은 3D 크로스포인트가 플래시 메모리 도입 이후 25년 만에 이루어진 가장 큰 혁신이며, 새로운 컴퓨팅 방식을 가능하게 할 것이라고 밝혔다. 인텔읜 비휘발성 메모리 담당 수석 부사장인 롭 쿡은 “3D 크로스포인트 메모리는 메모리 기술의 돌파구다. 약간 더 빨라진 정도가 아니라 훨씬 빠르며, 수명도 더 길다”고 설명했다. 새로 발표된 3D 크로스포인트 메모리는 주 메모리나 스토리지로 사용할 수 있다 인텔과 마이크론은 3D 크로스포인트 메모리가 단지 속도가 향상된 낸드 메모리가 아니며 완전히 다른 방식의 메모리라는 점을 강조했다. 빠른 속도와 비휘발성 메모리라는 점 때문에, 스토리지뿐 아니라 주 메모리 기능도 할 수도 있다. 또 컴퓨터에서 단독으로도 기존 DRAM과 결합해서도 사용될 수 있을 것으로 기대되고 있다. 3D 크로스포인트는 5월에 발표된 3D 낸드 메모리와는 관련이 없다. 3D 낸드 메모리는 일반 낸드 메모리의 밀도를 향상시킨 방식이다. 쿡은 3D 크로스포인트 메모리의 용도를 와이어가 서로 교차하는 각 지점마다 속도가 극대화된 스위치를 가진 스크린 도어로 설명했다. 3D 크로스포인트 개발은 아직 매우 초기 단계지만, 인텔과 마이크론은 내년쯤 구체적인 실체를 밝힐 수 있을 것이라며, 현재 기술 발전 수준에 대한 증거로 3D 크로스포인트로 만들어진 실제 웨이퍼를 공개하기도 했다. (이미지출처: INTEL/MICRON) 인텔과 마이크론은 3D 크로스포인트 메모리는 현재의 SSD보다 속도가 1,000배 빠르다고 밝혔다 3D 크로스포인트 메모리는 미국 유타 주에 인텔과 마이크론이 공동으로 설립한 공장에서 생산될 예정이다. 양 사는 자세한 개발 비용을 밝히지 않았지만 마이크론 CEO 마크 더컨은 '저렴한 비용은 아니'라고 ...

인텔 마이크론 낸드 NAND DRAM 3DXPOINT 3D크로스포인트

2015.07.29

28일 인텔과 마이크론이 현재의 낸드(NAND) 타입 메모리보다 1,000배 더 빠르고 더 내구성이 좋은 3D 크로스포인트(XPoint)를 발표했다. 인텔과 마이크론은 3D 크로스포인트가 플래시 메모리 도입 이후 25년 만에 이루어진 가장 큰 혁신이며, 새로운 컴퓨팅 방식을 가능하게 할 것이라고 밝혔다. 인텔읜 비휘발성 메모리 담당 수석 부사장인 롭 쿡은 “3D 크로스포인트 메모리는 메모리 기술의 돌파구다. 약간 더 빨라진 정도가 아니라 훨씬 빠르며, 수명도 더 길다”고 설명했다. 새로 발표된 3D 크로스포인트 메모리는 주 메모리나 스토리지로 사용할 수 있다 인텔과 마이크론은 3D 크로스포인트 메모리가 단지 속도가 향상된 낸드 메모리가 아니며 완전히 다른 방식의 메모리라는 점을 강조했다. 빠른 속도와 비휘발성 메모리라는 점 때문에, 스토리지뿐 아니라 주 메모리 기능도 할 수도 있다. 또 컴퓨터에서 단독으로도 기존 DRAM과 결합해서도 사용될 수 있을 것으로 기대되고 있다. 3D 크로스포인트는 5월에 발표된 3D 낸드 메모리와는 관련이 없다. 3D 낸드 메모리는 일반 낸드 메모리의 밀도를 향상시킨 방식이다. 쿡은 3D 크로스포인트 메모리의 용도를 와이어가 서로 교차하는 각 지점마다 속도가 극대화된 스위치를 가진 스크린 도어로 설명했다. 3D 크로스포인트 개발은 아직 매우 초기 단계지만, 인텔과 마이크론은 내년쯤 구체적인 실체를 밝힐 수 있을 것이라며, 현재 기술 발전 수준에 대한 증거로 3D 크로스포인트로 만들어진 실제 웨이퍼를 공개하기도 했다. (이미지출처: INTEL/MICRON) 인텔과 마이크론은 3D 크로스포인트 메모리는 현재의 SSD보다 속도가 1,000배 빠르다고 밝혔다 3D 크로스포인트 메모리는 미국 유타 주에 인텔과 마이크론이 공동으로 설립한 공장에서 생산될 예정이다. 양 사는 자세한 개발 비용을 밝히지 않았지만 마이크론 CEO 마크 더컨은 '저렴한 비용은 아니'라고 ...

2015.07.29

삼성, 3D DDR4 DRAM 모듈 생산 착수

삼성이 3차원 적층 칩 패키징 기술인 TSV(Through Silicon Via)를 이용한 차세대 DDR4 (double-data rate 4) 메모리를 기반으로 서버용 64GB DRAM 모듈 생산에 착수했다. 삼성 메모리 칩은 진보된 20나노 제조 공정을 통해 생산된다. 64GB는 DRAM중 가장 큰 용량이다. 기존 메모리 칩들은 DIMM에 수평적으로 적층되고 있는데, 삼성은 날로 소형화되고 있는 메모리칩을 수직방향으로 쌓아서 고집적도의 장점을 구현했다. DDR3과 비교해 보면, DDR4는 50% 향상된 메모리 대역폭을 제공하며, 35%이상의 전력 절감 효과가 있다. DDR4은 다음 분기부터 서버와 게임용 PC의 DDR3 DRAM을 점차 대체하기 시작할 것으로 보인다. 인텔 역시 오는 9월 초 레노버와 델 서버에서 사용될 DDR4 호환 칩의 출시를 앞두고 있다. 인사이트 64(Insight 64)의 수석 애널리스트 나단 브룩우드는 “데이터센터에 이용되는 애플리케이션에는 특히 삼성 최신 메모리가 유용할 것이다”고 말했다. 오라클과 SAP가 제공하는 데이터베이스와 분석 애플리케이션들은 애플리케이션 성능을 향상하기 위해 메모리에 데이터를 보관하기 때문이다. 이어 “DRAM 칩의 집적도를 높이는 건 정말 어려운 작업이다”며, “적층 기술은 현재 사용되는 DRAM 칩 기술을 이용해 2배 더 많은 용량을 생산할 수 있는 좋은 방법이다”고 덧붙였다. 스택 안의 메모리 칩들은 최신 메모리 기술의 차세대 처리 매커니즘인 TSV 커넥터를 통해 연결된다. TSV는 마이크론(Micron)는 신흥 HMC(Hybrid Memory Cube)기술에 이미 적용한 바 있으며, 엔비디아도 수년 내로 그래픽 칩을 생산하는 데 TSV를 사용할 예정이다. 한편, 크루셜(Crucial)과 아다타(Adata)와 같은 메모리 제조사도 DDR4 DIMM을 출하하고 있지만, 아직은 저용량 제품에 ...

삼성 반도체 메모리 DDR4 DRAM

2014.08.28

삼성이 3차원 적층 칩 패키징 기술인 TSV(Through Silicon Via)를 이용한 차세대 DDR4 (double-data rate 4) 메모리를 기반으로 서버용 64GB DRAM 모듈 생산에 착수했다. 삼성 메모리 칩은 진보된 20나노 제조 공정을 통해 생산된다. 64GB는 DRAM중 가장 큰 용량이다. 기존 메모리 칩들은 DIMM에 수평적으로 적층되고 있는데, 삼성은 날로 소형화되고 있는 메모리칩을 수직방향으로 쌓아서 고집적도의 장점을 구현했다. DDR3과 비교해 보면, DDR4는 50% 향상된 메모리 대역폭을 제공하며, 35%이상의 전력 절감 효과가 있다. DDR4은 다음 분기부터 서버와 게임용 PC의 DDR3 DRAM을 점차 대체하기 시작할 것으로 보인다. 인텔 역시 오는 9월 초 레노버와 델 서버에서 사용될 DDR4 호환 칩의 출시를 앞두고 있다. 인사이트 64(Insight 64)의 수석 애널리스트 나단 브룩우드는 “데이터센터에 이용되는 애플리케이션에는 특히 삼성 최신 메모리가 유용할 것이다”고 말했다. 오라클과 SAP가 제공하는 데이터베이스와 분석 애플리케이션들은 애플리케이션 성능을 향상하기 위해 메모리에 데이터를 보관하기 때문이다. 이어 “DRAM 칩의 집적도를 높이는 건 정말 어려운 작업이다”며, “적층 기술은 현재 사용되는 DRAM 칩 기술을 이용해 2배 더 많은 용량을 생산할 수 있는 좋은 방법이다”고 덧붙였다. 스택 안의 메모리 칩들은 최신 메모리 기술의 차세대 처리 매커니즘인 TSV 커넥터를 통해 연결된다. TSV는 마이크론(Micron)는 신흥 HMC(Hybrid Memory Cube)기술에 이미 적용한 바 있으며, 엔비디아도 수년 내로 그래픽 칩을 생산하는 데 TSV를 사용할 예정이다. 한편, 크루셜(Crucial)과 아다타(Adata)와 같은 메모리 제조사도 DDR4 DIMM을 출하하고 있지만, 아직은 저용량 제품에 ...

2014.08.28

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10.4.0.13