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DRAM

SK하이닉스 흑자 전환… ‘AI로 인한 디램 수요 증가 시사’

SK하이닉스가 주요 제품인 DDR5와 HBM3의 판매량이 전년 대비 각각 4배와 5배 증가했다고 지난 25일 발표했다.   SK하이닉스의 4분기 실적 호조는 AI 애플리케이션에 필수적인 고대역폭 메모리(HBM) 등 첨단 디램(DRAM) 칩...

SK하이닉스 반도체 디램 DRAM AI ai시스템 엔비디아 H100

2024.01.26

SK하이닉스가 주요 제품인 DDR5와 HBM3의 판매량이 전년 대비 각각 4배와 5배 증가했다고 지난 25일 발표했다.   SK하이닉스의 4분기 실적 호조는 AI 애플리케이션에 필수적인 고대역폭 메모리(HBM) 등 첨단 디램(DRAM) 칩...

2024.01.26

SSD-HDD 가격차 '2015년 6배, 2016년 4배, 2017년 3배'

소비자용 주류 SSD 가격은 지난 3년 동안 급격하게 하락한 반면, HDD 가격은 소폭 하락하는 데 그쳤다. 이에 따라 2017년에는 HDD 가격이 기가바이트당 6센트, 2.5인치 SSD가 17센트로 둘간의 가격 격차가 11센트(기가바이트당)...

삼성 3D TLC SSD 트렌드포스 MLC DRAM 메모리 칩 SK하이닉스 시장 조사 도시바 HDD 낸드 플래시 샌디스크 마이크론 SSD 노트북 인텔 스토리지 DRAM익스체인지

2015.12.02

소비자용 주류 SSD 가격은 지난 3년 동안 급격하게 하락한 반면, HDD 가격은 소폭 하락하는 데 그쳤다. 이에 따라 2017년에는 HDD 가격이 기가바이트당 6센트, 2.5인치 SSD가 17센트로 둘간의 가격 격차가 11센트(기가바이트당)...

2015.12.02

"낸드보다 1,000배 빠르다"··· 인텔∙마이크론, 3D X포인트 메모리 타입 발표

28일 인텔과 마이크론이 현재의 낸드(NAND) 타입 메모리보다 1,000배 더 빠르고 더 내구성이 좋은 3D 크로스포인트(XPoint)를 발표했다. 인텔과 마이크론은 3D 크로스포인트가 플래시 메모리 도입 이후 25년 만에 이루어진 가장 큰 혁신이며...

인텔 마이크론 낸드 NAND DRAM 3DXPOINT 3D크로스포인트

2015.07.29

28일 인텔과 마이크론이 현재의 낸드(NAND) 타입 메모리보다 1,000배 더 빠르고 더 내구성이 좋은 3D 크로스포인트(XPoint)를 발표했다. 인텔과 마이크론은 3D 크로스포인트가 플래시 메모리 도입 이후 25년 만에 이루어진 가장 큰 혁신이며...

2015.07.29

삼성, 3D DDR4 DRAM 모듈 생산 착수

삼성이 3차원 적층 칩 패키징 기술인 TSV(Through Silicon Via)를 이용한 차세대 DDR4 (double-data rate 4) 메모리를 기반으로 서버용 64GB DRAM 모듈 생산에 착수했다. 삼성 메모리 칩은 진보된 2...

삼성 반도체 메모리 DDR4 DRAM

2014.08.28

삼성이 3차원 적층 칩 패키징 기술인 TSV(Through Silicon Via)를 이용한 차세대 DDR4 (double-data rate 4) 메모리를 기반으로 서버용 64GB DRAM 모듈 생산에 착수했다. 삼성 메모리 칩은 진보된 2...

2014.08.28

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