Offcanvas

데이터센터 / 비즈니스|경제

IBM, "삼성 및 글로벌파운드리와 5나노 트랜지스터 기술 개발 성공"

2017.06.05 편집부  |  CIO KR
IBM이 삼성, 글로벌파운드리와 함께 5나노미터칩 제조가 가능한 실리콘 나노시트(nanosheet) 트랜지스터 생산 공정 개발에 성공했다고 밝혔다.

삼성, 글로벌파운드리가 함께하는 IBM 리서치 연합(IBM Research Alliance)은 200억 개의 트랜지스터를 집적할 수 있는 7나노 테스트 노드칩 개발에 성공한지 채 2년도 지나지 않아 손톱만한 크기의 칩에 300억 개의 트랜지스터를 집적할 수 있는 기술 개발에 성공한 것이라고 업체 측은 설명했다.



이는 클라우드를 통해 제공되는 인공지능을 포함한 코그너티브(인지) 컴퓨팅, 사물인터넷(IoT) 및 기타 데이터 집약적 애플리케이션의 성능 향상으로 이어져 이 기술들의 발전이 가속화될 것으로 보인다. 또한, 전력 효율성 개선으로 스마트폰과 기타 모바일 제품의 배터리 지속시간이 현재 사용되고 있는 기기들과 비교해 최대 2~3배 늘어나게 된다.

뉴욕주립대(SUNY) 폴리테크닉 연구소 나노스케일 과학 공학 대학의 나노테크 컴플렉스에서 진행된 이번 연구에서 과학자들은 기존의 핀펫(FinFET) 아키텍처 대신 실리콘 나노시트 스택을 사용한 트랜지스터 디바이스 구조로 반도체 업계에 기존 7나노 노드 기술을 뛰어넘는 새로운 청사진을 제시했다.

연구에 사용된 실리콘 나노시트 트랜지스터로 더 강력한 성능의 5나노 칩을 머지 않은 미래에 생산할 수 있다는 사실이 입증됐다. 현재 시장에서 사용되고 있는 최신 10나노 칩과 비교했을 때, 나노시트 기반의 5나노 기술을 사용하면 동일한 전력 소모 시 성능이 40% 향상되고, 동일한 성능에서는 전력 소모량이 75% 감소한다. 이러한 발전을 통해 인공지능(AI) 시스템과 가상 현실, 그리고 모바일 디바이스에 대한 미래의 요구사항을 더 빠르게 충족시킬 수 있을 것이다.

IBM 리서치는 나노시트 반도체 기술에 대한 연구를 10년 이상 진행했다. 이번 연구를 통해 핀펫 아키텍처보다 우수한 전기적 특성을 가진 적층 나노시트 디바이스를 설계하고 제조할 수 있음을 입증했다고 업체 측은 밝혔다. ciokr@idg.co.kr
CIO Korea 뉴스레터 및 IT 트랜드 보고서 무료 구독하기
Sponsored
추천 테크라이브러리

회사명:한국IDG 제호: CIO Korea 주소 : 서울시 중구 세종대로 23, 4층 우)04512
등록번호 : 서울 아01641 등록발행일자 : 2011년 05월 27일

발행인 : 박형미 편집인 : 천신응 청소년보호책임자 : 한정규
사업자 등록번호 : 214-87-22467 Tel : 02-558-6950

Copyright © 2024 International Data Group. All rights reserved.