2016.02.26

IoT 분야 노린 ‘ReRAM’ 샘플 출하… "전력 소비량 50~100배 적어"

Lucas Mearian | Computerworld

아데스토 테크놀로지(Adesto Technologies)가 오늘 사물인터넷 분야에 사용되는 배터리 구동형 또는 에너지 하베스팅 전자 기기를 위한 새로운 CBRAM(전도성 브리징 RAM(conductive bridging RAM)을 발표했다.

아데스토의 새로운 CBRAM 칩은 ReRAM(Resistive RAM) 비휘발성 메모리의 일종으로, NOR 플래시에 비해 50~100배 적은 전력을 소비하면서 읽기와 쓰기 작업이 가능하다. 모네타(Moneta)로 명명된 이 칩은 데이터를 전송하기 전에 잠시 동안만 저장하면 되는 센서 또는 웨어러블용으로 설계되었기 때문에 최대 256킬로비트의 데이터만 저장한다.


아데스토 테크놀로지의 CBRAM 칩.

이 칩은 의료 기기부터 산업용 장비, 건물 HVAC 시스템에 이르기까지 다양한 곳에서 사용될 전망이다. 예를 들어 이 칩을 건물 환경 센서에 넣어 온도와 공기 흐름을 추적하고 조정하는 데 필요한 데이터를 기록할 수 있다. 정해진 시간 동안 착용자의 걸음 수를 측정하거나 심박수를 비롯한 생명 징후를 측정하는 핏비트(Fitbit) 등의 건강 및 피트니스 트래커에도 CBRAM 칩을 사용할 수 있다.


ReRAM은 전기 저항을 변경하는 이온을 사용해 데이터를 저장하는 수동 2단자 전극을 사용한다.

마이크로와트 단위의 초저전력 메모리
ReRAM은 전기 저항을 변경하는 이온을 사용해 데이터를 저장하는 수동 2단지 전극을 사용한다. 율리히 아헨 연구 연합(Jülich Aachen Research Alliance, JARA)에 따르면 ReRAM은 성능을 강화하는 동시에 최신 IT 시스템의 에너지 사용량을 대폭 줄일 수 있다.

ReRAM은 “메모리 저항”, 일명 멤리스터(memristor) 개념을 기반으로 한다. 멤리스터라는 용어는 1970년대 초반 캘리포니아 버클리 대학의 과학자 레온 추아가 처음 고안했다. 멤리스터 이전까지 연구자들은 저항, 축전기, 유도자의 세 가지 기본적인 회로 요소만 알고 있었다. 멤리스터가 나오면서 이전 기술들에 비해 훨씬 더 적은 에너지를 소비하는 네 번째 요소가 추가됐다.

아데스토 CEO인 나베 데르하코비안에 따르면 이미 500여 고객 기업이 기존 아데스토 NAND 플래시 또는 CBRAM 칩을 제품에 통합했다.

이전까지 아데스토의 최신 CBRAM 칩 모델이었던 매브릭 시리얼 메모리(Mavriq Serial Memory)의 소비 전력은 읽기 작업 시 약 0.25mA(1mA는 1000분의 1암페어), 쓰기 1mA, 대기 모드에서는 1µW(마이크로와트, 100만 분의 1와트)였다. 아데스토의 새로운 모네타 CBRAM 칩은 읽기에 10µW, 쓰기에 7.5µW를 소비하며 “울트라 딥 파워 다운” 대기 모드에서의 소비량은 0.05µW에 불과하다.

매브릭은 표준 ROM 시리얼 소켓의 메모리를 대체하는 제품이었지만, 모네타는 표준 소켓용이 아니라 에너지 소비량이 극히 낮은 초저전력 IoT 시스템 전용으로 설계된 칩이다. 미래의 스마트 의료 기기, 초저에너지 센서 또는 에너지 하베스팅 센서 등이 주 사용처다.

아데스토 대변인은 “매브릭은 여전히 다른 칩에 비해 극히 낮은 전력을 소비하지만 기존 소켓 설계라는 제약이 있다”면서 “모네타는 CBRAM의 모든 역량을 제대로 입증하는 새로운 메모리 설계로서 미래의 청사진을 제시한다. IoT를 위해 새롭게 탄생한 최초의 칩이라고 말하는 이유가 여기에 있다”고 말했다.

관련 업계, 사물 인터넷 시장 노린 움직임 분주
모네타 CBRAM 신형 칩의 용량은 미미하지만 올해 막대한 규모의 성장과 변화가 일어날 IoT 시장을 위해 현재 출하 중인 유일한 ReRAM 칩이라는 측면에서 다른 비휘발성 메모리 제품과는 차별화된다.

작년에 인텔과 마이크론은 ReRAM 제품인 옵테인(Optane)을 올해 출시할 것이라고 발표한 바 있다. 두 업체에 따르면 3D 엑스포인트(Xpoint)로 불리는 기술의 브랜드 이름인 옵테인은 DRAM에 비해 집적도가 10배 더 높고 플래시 스토리지에 비해 속도와 내구성은 1,000배 더 높다.


인텔과 마이크론의 3D 엑스포인트(옵테인) 칩 ReRAM 아키텍처. 비트 저장 트랜지스터가 필요 없고, 대신 전기 저항으로 1 또는 0을 나타내는 격자 와이어를 사용한다.

시장 조사 업체 오브젝티브 애널리시스(Objective Analysis)의 책임자 짐 핸디는 “지난 10월에 작성한 관련 보고서에서 모든 조건이 들어맞는다는 조건하에 낙관적으로 전망 시 2019년 제품 출하 규모는 20억 달러를 상회할 것으로 예측했다. 비즈니스코리아(BusinessKorea)에 따르면 삼성도 최근 자체 버전을 제작했다”고 말했다.

핸디는 ReRAM 시장 규모는 아직 작은 편으로 연간 매출 규모는 약 1억 달러 수준이라고 말했다. DRAM과 NAND 플래시 시장의 연 매출 규모는 각각 300억 달러에 이른다.




2016.02.26

IoT 분야 노린 ‘ReRAM’ 샘플 출하… "전력 소비량 50~100배 적어"

Lucas Mearian | Computerworld

아데스토 테크놀로지(Adesto Technologies)가 오늘 사물인터넷 분야에 사용되는 배터리 구동형 또는 에너지 하베스팅 전자 기기를 위한 새로운 CBRAM(전도성 브리징 RAM(conductive bridging RAM)을 발표했다.

아데스토의 새로운 CBRAM 칩은 ReRAM(Resistive RAM) 비휘발성 메모리의 일종으로, NOR 플래시에 비해 50~100배 적은 전력을 소비하면서 읽기와 쓰기 작업이 가능하다. 모네타(Moneta)로 명명된 이 칩은 데이터를 전송하기 전에 잠시 동안만 저장하면 되는 센서 또는 웨어러블용으로 설계되었기 때문에 최대 256킬로비트의 데이터만 저장한다.


아데스토 테크놀로지의 CBRAM 칩.

이 칩은 의료 기기부터 산업용 장비, 건물 HVAC 시스템에 이르기까지 다양한 곳에서 사용될 전망이다. 예를 들어 이 칩을 건물 환경 센서에 넣어 온도와 공기 흐름을 추적하고 조정하는 데 필요한 데이터를 기록할 수 있다. 정해진 시간 동안 착용자의 걸음 수를 측정하거나 심박수를 비롯한 생명 징후를 측정하는 핏비트(Fitbit) 등의 건강 및 피트니스 트래커에도 CBRAM 칩을 사용할 수 있다.


ReRAM은 전기 저항을 변경하는 이온을 사용해 데이터를 저장하는 수동 2단자 전극을 사용한다.

마이크로와트 단위의 초저전력 메모리
ReRAM은 전기 저항을 변경하는 이온을 사용해 데이터를 저장하는 수동 2단지 전극을 사용한다. 율리히 아헨 연구 연합(Jülich Aachen Research Alliance, JARA)에 따르면 ReRAM은 성능을 강화하는 동시에 최신 IT 시스템의 에너지 사용량을 대폭 줄일 수 있다.

ReRAM은 “메모리 저항”, 일명 멤리스터(memristor) 개념을 기반으로 한다. 멤리스터라는 용어는 1970년대 초반 캘리포니아 버클리 대학의 과학자 레온 추아가 처음 고안했다. 멤리스터 이전까지 연구자들은 저항, 축전기, 유도자의 세 가지 기본적인 회로 요소만 알고 있었다. 멤리스터가 나오면서 이전 기술들에 비해 훨씬 더 적은 에너지를 소비하는 네 번째 요소가 추가됐다.

아데스토 CEO인 나베 데르하코비안에 따르면 이미 500여 고객 기업이 기존 아데스토 NAND 플래시 또는 CBRAM 칩을 제품에 통합했다.

이전까지 아데스토의 최신 CBRAM 칩 모델이었던 매브릭 시리얼 메모리(Mavriq Serial Memory)의 소비 전력은 읽기 작업 시 약 0.25mA(1mA는 1000분의 1암페어), 쓰기 1mA, 대기 모드에서는 1µW(마이크로와트, 100만 분의 1와트)였다. 아데스토의 새로운 모네타 CBRAM 칩은 읽기에 10µW, 쓰기에 7.5µW를 소비하며 “울트라 딥 파워 다운” 대기 모드에서의 소비량은 0.05µW에 불과하다.

매브릭은 표준 ROM 시리얼 소켓의 메모리를 대체하는 제품이었지만, 모네타는 표준 소켓용이 아니라 에너지 소비량이 극히 낮은 초저전력 IoT 시스템 전용으로 설계된 칩이다. 미래의 스마트 의료 기기, 초저에너지 센서 또는 에너지 하베스팅 센서 등이 주 사용처다.

아데스토 대변인은 “매브릭은 여전히 다른 칩에 비해 극히 낮은 전력을 소비하지만 기존 소켓 설계라는 제약이 있다”면서 “모네타는 CBRAM의 모든 역량을 제대로 입증하는 새로운 메모리 설계로서 미래의 청사진을 제시한다. IoT를 위해 새롭게 탄생한 최초의 칩이라고 말하는 이유가 여기에 있다”고 말했다.

관련 업계, 사물 인터넷 시장 노린 움직임 분주
모네타 CBRAM 신형 칩의 용량은 미미하지만 올해 막대한 규모의 성장과 변화가 일어날 IoT 시장을 위해 현재 출하 중인 유일한 ReRAM 칩이라는 측면에서 다른 비휘발성 메모리 제품과는 차별화된다.

작년에 인텔과 마이크론은 ReRAM 제품인 옵테인(Optane)을 올해 출시할 것이라고 발표한 바 있다. 두 업체에 따르면 3D 엑스포인트(Xpoint)로 불리는 기술의 브랜드 이름인 옵테인은 DRAM에 비해 집적도가 10배 더 높고 플래시 스토리지에 비해 속도와 내구성은 1,000배 더 높다.


인텔과 마이크론의 3D 엑스포인트(옵테인) 칩 ReRAM 아키텍처. 비트 저장 트랜지스터가 필요 없고, 대신 전기 저항으로 1 또는 0을 나타내는 격자 와이어를 사용한다.

시장 조사 업체 오브젝티브 애널리시스(Objective Analysis)의 책임자 짐 핸디는 “지난 10월에 작성한 관련 보고서에서 모든 조건이 들어맞는다는 조건하에 낙관적으로 전망 시 2019년 제품 출하 규모는 20억 달러를 상회할 것으로 예측했다. 비즈니스코리아(BusinessKorea)에 따르면 삼성도 최근 자체 버전을 제작했다”고 말했다.

핸디는 ReRAM 시장 규모는 아직 작은 편으로 연간 매출 규모는 약 1억 달러 수준이라고 말했다. DRAM과 NAND 플래시 시장의 연 매출 규모는 각각 300억 달러에 이른다.


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