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“최대 25%까지 성능 향상, 라이젠·에픽에 연말 적용” AMD, 3D-V 캐시 소개

2021.06.02 Brian Cheon  |  CIO KR
AMD가 컴퓨텍스 2021에서 회사의 칩렛 아키텍처를 3D 칩셋(3D V-캐시)로 진화시켰다고 밝혔다. 회사에 따르면 이 기술은 라이젠 및 에픽 프로세서의 성능을 25%까지 향상시킬 수 있다. 



AMD의 리사 수 최고 경영자는 3D 칩렛 기술의 큰 진전이라 평하면서 올해 말께 최상위 제품군에 적용할 것이라고 말했다. 

리사 수는 고성능 게이밍 CPU인 라이젠 9 5900X에 3D-V 캐시를 적용한 결과를 시연했다. 3D-V 캐시가 부착된 5900X 시제품은 X박스 게임 스튜디오의 기어스 6에서 12% 더 향상된 프레임 속도를 기록했다. 다른 게임에서도 평균 14%(4~25%) 증가했다고 그녀는 덧붙였다. 

유사한 기술은 인텔도 선보인 바 있다. 인텔은 2018년 CPU 로직을 수직으로 적층하는 포베로스 기술을 시연했으며, 이를 이후 일부 칩에 적용한 바 있다. 이번 컴퓨텍스에서 공개된 앨더 레이크 데스크톱 및 모바일 칩에도 적용돼 있다. 

그러나 티리아스 리서치의 케빈 크레웰 애널리스트의 따르면 AMD의 3D 스태킹 기술은 인텔과 다른 측면을 가진다. AMD는 파운드리 파트너인 TSMC의 기술을 통해 스루-실리콘(through-silicon)을 활용한다. 메모리 제조사가 디램과 낸드 플래시를 수직으로 적층하는 기술과 유사하다. 포베로스보다 전력 소비 및 밴드위스 특성 측면에서 더 우수하다고 그는 설명했다. 단 제조가 얼마나 용이할 지는 아직 미지수라고 그는 덧붙였다. 

대용량 캐시를 프로세서 인근에 배치하면 성능이 크게 향상될 수 있다. 그러나 캐시를 프로세서 다이와 직접 연결하면 칩 결함이 발생할 가능성이 높아진다. 최악의 경우 전체 칩이 쓸모 없어질 수도 있다. AMD의 3D V-캐시와 같이 캐시를 별도의 다이로 추가한 다음 적층하면 대역폭 측면의 강점을 유지하는 한편 공간과 비용을 절약하고 사용 가능한 캐시 용량을 늘릴 수 있다. 



수는 시제품의 경우 SRAM을 각 AMD CCD에 연결하며 총 192MB의 SRAM 캐시를 구현했다고 밝혔다. 오늘날 5900X에는 64MB의 레벨 3 캐시를 지원하고 있다. 3D V-캐시가 적용될 AMD의 하이엔드 제품이 무엇일지는 아직 공개되지 않았다. ciokr@idg.co.kr
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