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인피니언, CoolSiC MOSFET 650V 제품군 출시

2020.03.05 편집부  |  CIO KR
인피니언 테크놀로지스는 자사의 실리콘 카바이드(SiC) 제품 포트폴리오에 650V 제품을 추가한다고 밝혔다. 

회사에 따르면 새롭게 출시되는 CoolSiC MOSFET은 서버, 텔레콤, 산업용 SMPS, 태양광 에너지 시스템, 에너지 저장 및 배터리 포메이션, UPS, 모터 드라이브, EV 충전 등에 적합하다. 



CoolSiC MOSFET 650V 제품은 27mΩ 부터 107mΩ에 이르는 온-저항 (RDS(ON)) 정격을 갖는다. 표준 TO-247 3핀 뿐만 아니라 TO-247 4핀 패키지로도 제공되어, 스위칭 손실을 더 낮출 수 있다. 

기존에 출시된 CoolSiC MOSFET 제품과 마찬가지로, 새로운 650V 제품 역시 인피니언의 최신 트렌치 반도체 기술을 채택하고 있다. SiC의 물리적 특성을 극대화하여, 높은 신뢰성과 동급 최상의 스위칭 및 전도 손실을 제공한다. 또한 트랜스컨덕턴스 레벨(증폭율), 4V 문턱 전압(Vth), 단락 회로 견고성을 특징으로 한다. 

650V CoolSiC MOSFET은 시중의 다른 실리콘 및 실리콘 카바이드 솔루션 대비 고주파수에서 스위칭 효율과 뛰어난 신뢰성 등 매력적인 이점을 제공한다고 업체 측은 설명했다. 온도에 대한 온 상태 저항 종속성이 낮아 열 동작이 우수하고, 견고하고 안정적인 바디 다이오드를 통합해 매우 낮은 역 복구 전하(QRR)를 유지하는데, 가장 우수한 수퍼정션 CoolMOS MOSFET 대비 약 80%가 더 낮다. 또한 정류 견고성이 우수하여 연속 전도 모드 토템폴 PFC를 사용해서 손쉽게 98%의 전체 시스템 효율을 달성할 수 있다.

CoolSiC MOSFET 650V 제품을 사용해 애플리케이션 설계를 용이하게 하고 최대의 성능을 달성할 수 있도록, 인피니언은 1채널 및 2채널 전기적 절연형 EiceDRIVER 게이트 드라이버 IC를 제공한다. CoolSiC 스위치와 전용 게이트 드라이버 IC를 결합한 솔루션으로 시스템 비용과 총소유비용을 낮추고 에너지 효율을 향상시킬 수 있다. CoolSiC MOSFET은 인피니언 EiceDRIVER 게이트 드라이버 제품군의 다른 IC와도 원활하게 동작한다. ciokr@idg.co.kr
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