2016.12.09

무어의 법칙은 계속된다··· 2018년 7nm 모바일 칩 등장

Agam Shah | IDG News Service
모바일 기기가 더 얇으면서도 빠르고, 에너지 효율적으로 진화한 데에는 무어에 법칙대로 움직직여온 프로세서 기술의 발전이 한몫한다. 내년 초 퀄컴 스냅드래곤 835 등 10nm 공정의 프로세서가 출현하는데 이어 2018년에는 7nm 공정의 모바일 칩이 등장할 전망이다.



ARM은 지난 5일 대만 TSMC와 공동으로 7nm 칩을 개발하고 있다고 전했다. 회사의 7nm 지적재산권을 TSMC와 공유해, 이 반도체 기업이 2018년 상용화도록 지원하고 있다는 설명이다.

ARM 물리 디자인 그룹 마케팅 부사장 론 무어의 발표에 따르면 7nm 공정으로 만들어진 프로세서는 16nm 칩과 비교해 15~20%의 성능 향상이 가능할 전망이다.

VR 및 AR 애플리케이션, 머신러닝의 대두로 인해 프로세서 성능 혁신에 대한 니즈가 증가하고 있다. ARM 측은 7nm 공정에 다양한 진보가 적용될 예정이라며, 칩 상에 좀더 정교한 에칭을 가능하게 하는 EUV(extreme ultraviolet)가 그 중 하나라고 설명했다.

무어는 이어 ARM의 지적재산을 활용할 경우, 칩 디자이너에게 이면의 제조 기술에 대한 전문 지식을 그리 요구하지 않는다고 덧붙였다.

한편 TSMC의 경쟁기업 글로벌파운드리도 7nm 공정으로 이동하고 있으며, 2018년 생산을 개시할 예정이다. 삼성의 경우 7nm 공정에 대해 아직 구체적인 계획을 밝히지 않았다. 인텔은 7nm 계획을 보유하고 있다고 밝혔지만 생산 적용 시점에 대해서는 언급하지 않은 상태다.

7nm 이후 수준은 5nm 공정이다. 다음 주 샌프란시스코에서 열리는 IEDM(International Electron Devices Meeting) 행사에서 이 주제가 논의될 예정이다. 이 행사에서는 또 실리콘 대체 물질에 대한 논의가 예정돼 있는데, 삼성은 게르마늄의 장점에 대해 발표할 예정이다.

인텔은 비화갈륨 등 주기율표 세번째 및 네번째 칼럼 요소에 기반한 III-V 물질을 활용하는 계획을 세워두고 있다. 비화갈륨은 실리콘보다 더 우수한 전기 컨덕터로, 칩에 더 개선된 전력효율성을 구현해줄 수 있는 물질로 기대를 모으고 있다. ciokr@idg.co.kr 
2016.12.09

무어의 법칙은 계속된다··· 2018년 7nm 모바일 칩 등장

Agam Shah | IDG News Service
모바일 기기가 더 얇으면서도 빠르고, 에너지 효율적으로 진화한 데에는 무어에 법칙대로 움직직여온 프로세서 기술의 발전이 한몫한다. 내년 초 퀄컴 스냅드래곤 835 등 10nm 공정의 프로세서가 출현하는데 이어 2018년에는 7nm 공정의 모바일 칩이 등장할 전망이다.



ARM은 지난 5일 대만 TSMC와 공동으로 7nm 칩을 개발하고 있다고 전했다. 회사의 7nm 지적재산권을 TSMC와 공유해, 이 반도체 기업이 2018년 상용화도록 지원하고 있다는 설명이다.

ARM 물리 디자인 그룹 마케팅 부사장 론 무어의 발표에 따르면 7nm 공정으로 만들어진 프로세서는 16nm 칩과 비교해 15~20%의 성능 향상이 가능할 전망이다.

VR 및 AR 애플리케이션, 머신러닝의 대두로 인해 프로세서 성능 혁신에 대한 니즈가 증가하고 있다. ARM 측은 7nm 공정에 다양한 진보가 적용될 예정이라며, 칩 상에 좀더 정교한 에칭을 가능하게 하는 EUV(extreme ultraviolet)가 그 중 하나라고 설명했다.

무어는 이어 ARM의 지적재산을 활용할 경우, 칩 디자이너에게 이면의 제조 기술에 대한 전문 지식을 그리 요구하지 않는다고 덧붙였다.

한편 TSMC의 경쟁기업 글로벌파운드리도 7nm 공정으로 이동하고 있으며, 2018년 생산을 개시할 예정이다. 삼성의 경우 7nm 공정에 대해 아직 구체적인 계획을 밝히지 않았다. 인텔은 7nm 계획을 보유하고 있다고 밝혔지만 생산 적용 시점에 대해서는 언급하지 않은 상태다.

7nm 이후 수준은 5nm 공정이다. 다음 주 샌프란시스코에서 열리는 IEDM(International Electron Devices Meeting) 행사에서 이 주제가 논의될 예정이다. 이 행사에서는 또 실리콘 대체 물질에 대한 논의가 예정돼 있는데, 삼성은 게르마늄의 장점에 대해 발표할 예정이다.

인텔은 비화갈륨 등 주기율표 세번째 및 네번째 칼럼 요소에 기반한 III-V 물질을 활용하는 계획을 세워두고 있다. 비화갈륨은 실리콘보다 더 우수한 전기 컨덕터로, 칩에 더 개선된 전력효율성을 구현해줄 수 있는 물질로 기대를 모으고 있다. ciokr@idg.co.kr 
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